Elektron və Optik Materialların Tədqiqat Mərkəzinin yapon alimləri dünyanın ilk almaz əsaslı tranzistorunu hazırlayıblar. Cihaz çox yüksək temperaturda işləməyə qadirdir və silikon analoqları ilə müqayisədə praktiki olaraq heç bir soyutma tələb etmir.

Mütəxəssislərin fikrincə, almaz yarımkeçirici 300°C-dən yuxarı temperaturda işləyə bilər, silikon əsaslı prosessorlar üçün isə limit 100°C-dir.

Layihə çərçivəsində alimlər iki “fosfor qatqılı almaz təbəqəsi” olan tranzistor yaradıblar. Fosforun keçiriciliyi artırmaq üçün təbəqələrə bir element əlavə etmək lazımdır. Beləliklə, adi çipdə silikon təbəqəni əvəz edən sərbəst elektronları daşıyan n-kanallı təbəqə əmələ gəlir.

Alimlərin fikrincə, onların yaratdığı cihaz mövcud analoqlar arasında həddindən artıq yüksək temperaturda ən yüksək dayanıqlığı və keçiriciliyi təmin edib.

Qeyd edək ki, almaz yarımkeçiricilər silikon yarımkeçiricilərlə müqayisədə daha geniş diapazona malikdirlər.

Mənbə: Gazeta.ru